-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Мощность - Макс.
|
Вид монтажа
|
Package / Case
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Тип канала
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
FET Feature
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
Напряжение затвора (макс)
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFH6200TR2PBF | MOSFET N-CH 20V 100A 5X6 PQFN | Infineon Technologies | 8-PQFN (5x6) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | MOSFET (Metal Oxide) | N-Channel | 20V | 49A (Ta), 100A (Tc) | 0.95mOhm @ 50A, 10V | 1.1V @ 150µA | 230nC @ 4.5V | 10890pF @ 10V | HEXFET® | ||||||
| IRFH7885TRPBF | MOSFET N-CH 80V 22A | Infineon Technologies | 8-PQFN (5x6) | Surface Mount | 8-VQFN | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 3.6W (Ta), 156W (Tc) | 80V | 22A (Ta) | 3.9mOhm @ 50A, 10V | 10V | 3.6V @ 150µA | 54nC @ 10V | 2311pF @ 40V | ±20V | FASTIRFET™ | ||
| AUIRFN7110TR | MOSFET NCH 100V 58A PQFN | Infineon Technologies | 8-PQFN (5x6) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | N-Channel | 4.3W (Ta), 125W (Tc) | 100V | 58A (Tc) | 14.5mOhm @ 35A, 10V | 10V | 4V @ 100µA | 74nC @ 10V | 3050pF @ 25V | ±20V | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® | ||
| IRFH5207TRPBF | MOSFET N-CH 75V 13A 8-PQFN | Infineon Technologies | 8-PQFN (5x6) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 3.6W (Ta), 105W (Tc) | 75V | 13A (Ta), 71A (Tc) | 9.6mOhm @ 43A, 10V | 10V | 4V @ 100µA | 59nC @ 10V | 2474pF @ 25V | ±20V | HEXFET® | ||
| IRFH8316TRPBF | MOSFET N-CH 30V 27A PQFN5X6 | Infineon Technologies | 8-PQFN (5x6) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 3.6W (Ta), 59W (Tc) | 30V | 27A (Ta), 50A (Tc) | 2.95mOhm @ 20A, 10V | 4.5V, 10V | 2.2V @ 50µA | 59nC @ 10V | 3610pF @ 10V | ±20V | HEXFET® | ||
| IRFH5206TR2PBF | MOSFET N-CH 60V 16A 5X6 PQFN | Infineon Technologies | 8-PQFN (5x6) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | MOSFET (Metal Oxide) | N-Channel | 60V | 16A (Ta), 89A (Tc) | 6.7mOhm @ 50A, 10V | 4V @ 100µA | 60nC @ 10V | 2490pF @ 25V | HEXFET® | ||||||
| IRLH5034TR2PBF | MOSFET N-CH 40V 100A 5X6 PQFN | Infineon Technologies | 8-PQFN (5x6) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | MOSFET (Metal Oxide) | N-Channel | 40V | 29A (Ta), 100A (Tc) | 2.4mOhm @ 50A, 10V | 2.5V @ 150µA | 82nC @ 10V | 4730pF @ 25V | HEXFET® | ||||||
| IRFH7446TRPBF | MOSFET N CH 40V 85A PQFN 5X6 | Infineon Technologies | 8-PQFN (5x6) | Surface Mount | 8-TQFN Exposed Pad | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 78W (Tc) | 40V | 85A (Tc) | 3.3mOhm @ 50A, 10V | 6V, 10V | 3.9V @ 100µA | 98nC @ 10V | 3174pF @ 25V | ±20V | HEXFET®, StrongIRFET™ |
- 10
- 15
- 50
- 100