• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 83
  • IRFH5010TR2PBF
    MOSFET N-CH 100V 13A 5X6 PQFN
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: 8-PQFN (5x6)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 100A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 150µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 98nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4340pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRFH5110TR2PBF
    MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: 8-PQFN (5x6)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 63A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 37A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 100µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 72nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3152pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRFH5025TRPBF
    MOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN56
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: 8-PQFN (5x6)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 250V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.7A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 150µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2150pF @ 50V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRFH8307TRPBF
    MOSFET N-CH 30V 100A PQFN
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®, StrongIRFET™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerTDFN
    • Тип корпуса: 8-PQFN (5x6)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 100A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7200pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRFH7110TRPBF
    MOSFET N CH 100V 11A PQFN 5X6
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 8-PQFN (5x6)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 58A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 35A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 100µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 87nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3240pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 3.6W (Ta), 104W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRFH5004TRPBF
    MOSFET N-CH 40V 28A 8VQFN
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: 8-PQFN (5x6)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 150µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4490pF @ 20V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRF40H210
    MOSFET N-CH 40V 100A PQFN5X6
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®, StrongIRFET™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: 8-PQFN (5x6)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 152nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5406pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 125W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRFH5007TRPBF
    MOSFET N-CH 75V 17A 5X6 PQFN
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerTDFN
    • Тип корпуса: 8-PQFN (5x6)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 75V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 50A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 150µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 98nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRFH5250DTR2PBF
    MOSFET N-CH 25V 40A 8VQFN
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: 8-PQFN (5x6)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 25V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 83nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6115pF @ 13V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRLH7134TRPBF
    MOSFET N-CH 40V 26A 8PQFN
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerTDFN
    • Тип корпуса: 8-PQFN (5x6)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 85A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3720pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 3.6W (Ta), 104W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±16V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRFH7084TRPBF
    MOSFET N-CH 40V 100A PQFN
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerTDFN
    • Тип корпуса: 8-PQFN (5x6)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 100A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 190nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6560pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 156W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRLH5030TRPBF
    MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: 8-PQFN (5x6)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 100A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 94nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5185pF @ 50V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±16V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRFH7004TR2PBF
    MOSFET N CH 40V 100A PQFN5X6
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®, StrongIRFET™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 8-PQFN (5x6)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 194nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6419pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRFH5106TRPBF
    MOSFET N-CH 60V 21A 8-PQFN
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: 8-PQFN (5x6)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 50A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3090pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 3.6W (Ta), 114W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AUXFN8403TR
    MOSFET N-CH 40V PQFN
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 8-PQFN (5x6)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 98nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3174pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 94W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100