-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Вид монтажа
|
Package / Case
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Тип канала
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
Напряжение затвора (макс)
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFH3707TR2PBF | MOSFET N-CH 30V 12A PQFN33 | Infineon Technologies | 8-PQFN (3x3) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 2.8W (Ta) | 30V | 12A (Ta), 29A (Tc) | 12.4mOhm @ 12A, 10V | 4.5V, 10V | 2.35V @ 25µA | 8.1nC @ 4.5V | 755pF @ 15V | ±20V | HEXFET® |
| IRFH3702TR2PBF | MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN | Infineon Technologies | 8-PQFN (3x3) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | MOSFET (Metal Oxide) | N-Channel | 30V | 16A (Ta), 42A (Tc) | 7.1mOhm @ 16A, 10V | 2.35V @ 25µA | 14nC @ 4.5V | 1510pF @ 15V | HEXFET® | ||||
| IRFHM3911TRPBF | MOSFET N-CH 100V 10A PQFN | Infineon Technologies | 8-PQFN (3x3) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 2.8W (Ta), 29W (Tc) | 100V | 3.2A (Ta), 20A (Tc) | 115mOhm @ 6.3A, 10V | 10V | 4V @ 35µA | 26nC @ 10V | 760pF @ 50V | ±20V | HEXFET® |
| IRFH3702TRPBF | MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN | Infineon Technologies | 8-PQFN (3x3) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 2.8W (Ta) | 30V | 16A (Ta), 42A (Tc) | 7.1mOhm @ 16A, 10V | 4.5V, 10V | 2.35V @ 25µA | 14nC @ 4.5V | 1510pF @ 15V | ±20V | HEXFET® |
| IRFHM4231TRPBF | MOSFET N-CH 25V 40A PQFN | Infineon Technologies | 8-PQFN (3x3) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 2.7W (Ta), 29W (Tc) | 25V | 40A (Tc) | 3.4mOhm @ 30A, 10V | 4.5V, 10V | 2.1V @ 35µA | 20nC @ 10V | 1270pF @ 13V | ±20V | HEXFET® |
| IRFH3707TRPBF | MOSFET N-CH 30V 12A PQFN56 | Infineon Technologies | 8-PQFN (3x3) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 2.8W (Ta) | 30V | 12A (Ta), 29A (Tc) | 12.4mOhm @ 12A, 10V | 4.5V, 10V | 2.35V @ 25µA | 8.1nC @ 4.5V | 755pF @ 15V | ±20V | HEXFET® |
- 10
- 15
- 50
- 100