• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 2
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Package / Case
Тип канала
Напряжение сток-исток (Vdss)
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
FET Feature
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
IRLHS6276TR2PBF MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN Infineon Technologies 6-PQFN Dual (2x2) 1.5W Surface Mount 6-PowerVDFN 2 N-Channel (Dual) 20V 4.5A Logic Level Gate 45mOhm @ 3.4A, 4.5V 1.1V @ 10µA 3.1nC @ 4.5V 310pF @ 10V
IRFHS9351TR2PBF MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN Infineon Technologies 6-PQFN Dual (2x2) 1.4W Surface Mount 6-PowerVDFN 2 P-Channel (Dual) 30V 2.3A Logic Level Gate 170mOhm @ 3.1A, 10V 2.4V @ 10µA 3.7nC @ 10V 160pF @ 25V
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100