-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 6-PowerVDFN
- Тип корпуса: 6-PQFN Dual (2x2)
- Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
- FET Feature: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4.5A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.4A, 4.5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V
- Мощность - Макс.: 1.5W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 6-PowerVDFN
- Тип корпуса: 6-PQFN Dual (2x2)
- Тип канала: 2 P-Channel (Dual)
- FET Feature: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2.3A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.1A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 25V
- Мощность - Макс.: 1.4W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100