-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: HEXFET®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 6-PowerVDFN
- Тип корпуса: 6-PQFN (2x2)
- Тип канала: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 15A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 8.5A, 4.5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 877pF @ 10V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 2.1W (Ta), 9.6W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
- Напряжение затвора (макс): ±12V
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 6-PQFN (2x2)
- Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
- FET Feature: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3.6A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 25V
- Мощность - Макс.: 1.5W
- 10
- 15
- 50
- 100