• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 23
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
PTFA192001EV4XWSA1 FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2 Infineon Technologies H-36260-2 50W 1.99GHz 65V 10µA H-36260-2 LDMOS 15.9dB 30V 1.8A
PTFA192401EV4R250FTMA1 FET RF 65V 1.96GHZ H-36260-2 Infineon Technologies H-36260-2 50W 1.96GHz 65V 10µA H-36260-2 LDMOS 16dB 30V 1.6A
PTFA192001FV4FWSA1 IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 Infineon Technologies H-37260-2 50W 1.99GHz 65V 10µA 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged LDMOS 15.9dB 30V 1.8A
PTFA212401F V4 R250 IC FET RF LDMOS 240W H-37260-2 Infineon Technologies H-37260-2 50W 2.14GHz 65V 10µA 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged LDMOS 15.8dB 30V 1.6A
PTFA212001F1V4XWSA1 IC RF POWER TRANSISTOR Infineon Technologies H-37260-2 50W 2.14GHz 65V 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged LDMOS 15.8dB 30V 1.6A
PTFA212001FV4XWSA1 IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 Infineon Technologies H-37260-2 50W 2.14GHz 65V 10µA 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged LDMOS 15.8dB 30V 1.6A
PTFA212001F/1 P4 IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 Infineon Technologies H-37260-2 50W 2.14GHz 65V 10µA 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged LDMOS 15.8dB 30V 1.6A
PTFA192401FV4R250XTMA1 IC FET RF LDMOS 240W H-37260-2 Infineon Technologies H-37260-2 50W 1.96GHz 65V 10µA 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged LDMOS 16dB 30V 1.6A
PTFA092211FLV4R250XTMA1 IC FET RF LDMOS Infineon Technologies H-34288-2 50W 920MHz ~ 960MHz 65V 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged LDMOS 18dB 30V 1.75A
PTFA212401F V4 IC FET RF LDMOS 240W H-37260-2 Infineon Technologies H-37260-2 50W 2.14GHz 65V 10µA 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged LDMOS 15.8dB 30V 1.6A
PTFA212001EV4XWSA1 FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2 Infineon Technologies H-36260-2 50W 2.14GHz 65V 10µA H-36260-2 LDMOS 15.8dB 30V 1.6A
PTFA192401EV4XWSA1 FET RF 65V 1.96GHZ H-36260-2 Infineon Technologies H-36260-2 50W 1.96GHz 65V 10µA H-36260-2 LDMOS 16dB 30V 1.6A
PTFA192401FV4XWSA1 IC FET RF LDMOS 240W H-37260-2 Infineon Technologies H-37260-2 50W 1.96GHz 65V 10µA 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged LDMOS 16dB 30V 1.6A
PTFA212401E V4 R250 FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2 Infineon Technologies H-36260-2 50W 2.14GHz 65V 10µA H-36260-2 LDMOS 15.8dB 30V 1.6A
PTFA192001F V4 R250 IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 Infineon Technologies H-37260-2 50W 1.99GHz 65V 10µA 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged LDMOS 15.9dB 30V 1.8A
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100