• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 6
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
PTFB211501FV1R0XTMA1 IC AMP RF LDMOS H-37248-2 Infineon Technologies H-37248-2 40W 2.17GHz 65V 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged LDMOS 18dB 30V 1.2A
PTFB211803ELV1R250XTMA1 IC AMP RF LDMOS Infineon Technologies H-33288-6 40W 2.17GHz 65V H-33288-6 LDMOS 17.5dB 30V 1.3A
PTFB211501FV1R250XTMA1 FET RF 65V 2.17GHZ H37248-2 Infineon Technologies H-37248-2 40W 2.17GHz 65V 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged LDMOS 18dB 30V 1.2A
PTFB211803ELV1R0XTMA1 IC AMP RF LDMOS H-33288-6 Infineon Technologies H-33288-6 40W 2.17GHz 65V H-33288-6 LDMOS 17.5dB 30V 1.3A
PTFB211803FLV2R250XTMA1 IC AMP RF LDMOS Infineon Technologies H-34288-4/2 40W 2.17GHz 65V 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged LDMOS 17.5dB 30V 1.3A
PTFB211803FLV2R0XTMA1 IC AMP RF LDMOS H-34288-4 Infineon Technologies H-34288-4/2 40W 2.17GHz 65V 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged LDMOS 17.5dB 30V 1.3A
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100