-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Выходная мощность
|
Частота
|
Номинальное напряжение
|
Номинальный ток
|
Package / Case
|
Тип транзистора
|
Усиление
|
Voltage - Test
|
Current - Test
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PTFA210701FV4R250XTMA1 | IC FET RF LDMOS 70W H-37265-2 | Infineon Technologies | H-37265-2 | 18W | 2.14GHz | 65V | 10µA | 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged | LDMOS | 16.5dB | 30V | 550mA |
PTFA210701EV4R250XTMA1 | IC FET RF LDMOS 70W H-36265-2 | Infineon Technologies | H-36265-2 | 18W | 2.14GHz | 65V | 10µA | H-36265-2 | LDMOS | 16.5dB | 30V | 550mA |
PTFA210701FV4FWSA1 | IC FET RF LDMOS 70W H-37265-2 | Infineon Technologies | H-37265-2 | 18W | 2.14GHz | 65V | 10µA | 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged | LDMOS | 16.5dB | 30V | 550mA |
PTFA210701EV4T500XWSA1 | IC FET RF LDMOS | Infineon Technologies | H-36265-2 | 18W | 2.11GHz ~ 2.17GHz | 65V | H-36265-2 | LDMOS | 16.5dB | 30V | 550mA | |
PTFA210701EV4XWSA1 | IC FET RF LDMOS 70W H-36265-2 | Infineon Technologies | H-36265-2 | 18W | 2.14GHz | 65V | 10µA | H-36265-2 | LDMOS | 16.5dB | 30V | 550mA |
- 10
- 15
- 50
- 100