- Производитель
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Номинальное напряжение
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Вид монтажа
|
Package / Case
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Тип канала
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
Напряжение затвора (макс)
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HTNFET-D | MOSFET N-CH 55V 8-DIP | Honeywell Aerospace | 8-CDIP-EP | Through Hole | 8-CDIP Exposed Pad | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 225°C (TJ) | N-Channel | 50W (Tj) | 55V | 400mOhm @ 100mA, 5V | 5V | 2.4V @ 100µA | 4.3nC @ 5V | 290pF @ 28V | -10V | HTMOS™ |
| HTNFET-DC | MOSFET N-CH 55V 8-DIP | Honeywell Aerospace | Through Hole | 8-CDIP Exposed Pad | MOSFET (Metal Oxide) | N-Channel | 50W (Tj) | 55V | 400mOhm @ 100mA, 5V | 5V | 2.4V @ 100µA | 4.3nC @ 5V | 290pF @ 28V | -10V | HTMOS™ | ||
| HTNFET-T | MOSFET N-CH 55V 4-PIN | Honeywell Aerospace | 4-Power Tab | Through Hole | 4-SIP | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 225°C (TJ) | N-Channel | 50W (Tj) | 55V | 400mOhm @ 100mA, 5V | 5V | 2.4V @ 100µA | 4.3nC @ 5V | 290pF @ 28V | -10V | HTMOS™ |
| HTNFET-TC | MOSFET N-CH 55V 4-PIN | Honeywell Aerospace | Through Hole | MOSFET (Metal Oxide) | N-Channel | 50W (Tj) | 55V | 400mOhm @ 100mA, 5V | 5V | 2.4V @ 100µA | 4.3nC @ 5V | 290pF @ 28V | -10V | HTMOS™ |
- 10
- 15
- 50
- 100