• Производитель
  • Тип корпуса
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 4
  • HTNFET-D
    MOSFET N-CH 55V 8-DIP
    Honeywell Aerospace
    • Производитель: Honeywell Aerospace
    • Серия: HTMOS™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 225°C (TJ)
    • Package / Case: 8-CDIP Exposed Pad
    • Тип корпуса: 8-CDIP-EP
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 55V
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 100mA, 5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3nC @ 5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 28V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 50W (Tj)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
    • Напряжение затвора (макс): -10V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • HTNFET-DC
    MOSFET N-CH 55V 8-DIP
    Honeywell Aerospace
    • Производитель: Honeywell Aerospace
    • Серия: HTMOS™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: 8-CDIP Exposed Pad
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 55V
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 100mA, 5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3nC @ 5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 28V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 50W (Tj)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
    • Напряжение затвора (макс): -10V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • HTNFET-T
    MOSFET N-CH 55V 4-PIN
    Honeywell Aerospace
    • Производитель: Honeywell Aerospace
    • Серия: HTMOS™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 225°C (TJ)
    • Package / Case: 4-SIP
    • Тип корпуса: 4-Power Tab
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 55V
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 100mA, 5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3nC @ 5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 28V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 50W (Tj)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
    • Напряжение затвора (макс): -10V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • HTNFET-TC
    MOSFET N-CH 55V 4-PIN
    Honeywell Aerospace
    • Производитель: Honeywell Aerospace
    • Серия: HTMOS™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 55V
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 100mA, 5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3nC @ 5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 28V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 50W (Tj)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
    • Напряжение затвора (макс): -10V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100