-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Вид монтажа
|
Package / Case
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N7639-GA | TRANS SJT 650V 15A TO-257 | GeneSiC Semiconductor | TO-257 | Through Hole | TO-257-3 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | -55°C ~ 225°C (TJ) | 172W (Tc) | 650V | 15A (Tc) (155°C) | 105mOhm @ 15A | 1534pF @ 35V |
| 2N7637-GA | TRANS SJT 650V 7A TO-257 | GeneSiC Semiconductor | TO-257 | Through Hole | TO-257-3 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | -55°C ~ 225°C (TJ) | 80W (Tc) | 650V | 7A (Tc) (165°C) | 170mOhm @ 7A | 720pF @ 35V |
| 2N7635-GA | TRANS SJT 650V 4A TO-257 | GeneSiC Semiconductor | TO-257 | Through Hole | TO-257-3 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | -55°C ~ 225°C (TJ) | 47W (Tc) | 650V | 4A (Tc) (165°C) | 415mOhm @ 4A | 324pF @ 35V |
- 10
- 15
- 50
- 100