• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 3
  • 2N7639-GA
    TRANS SJT 650V 15A TO-257
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 225°C (TJ)
    • Package / Case: TO-257-3
    • Тип корпуса: TO-257
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 650V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 15A (Tc) (155°C)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 15A
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1534pF @ 35V
    • Технология: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 172W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2N7637-GA
    TRANS SJT 650V 7A TO-257
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 225°C (TJ)
    • Package / Case: TO-257-3
    • Тип корпуса: TO-257
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 650V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 7A (Tc) (165°C)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7A
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 35V
    • Технология: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 80W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2N7635-GA
    TRANS SJT 650V 4A TO-257
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 225°C (TJ)
    • Package / Case: TO-257-3
    • Тип корпуса: TO-257
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 650V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4A (Tc) (165°C)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 4A
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 35V
    • Технология: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 47W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100