Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET GeneSiC Semiconductor SOT-227
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип полевого транзистора
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
- Тип корпуса: SOT-227
- Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 100A
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 14400pF @ 800V
- Технология: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 535W (Tc)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
- Тип корпуса: SOT-227
- Напряжение сток-исток (Vdss): 1700V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 100A
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 14400pF @ 800V
- Технология: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 535W (Tc)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100