-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Вид монтажа
|
Package / Case
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GA100JT12-227 | TRANS SJT 1200V 160A SOT227 | GeneSiC Semiconductor | SOT-227 | Chassis Mount | SOT-227-4, miniBLOC | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | -55°C ~ 175°C (TJ) | 535W (Tc) | 1200V | 160A (Tc) | 10mOhm @ 100A | 14400pF @ 800V |
| GA100JT17-227 | TRANS SJT 1700V 160A SOT227 | GeneSiC Semiconductor | SOT-227 | Chassis Mount | SOT-227-4, miniBLOC | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | -55°C ~ 175°C (TJ) | 535W (Tc) | 1700V | 160A (Tc) | 10mOhm @ 100A | 14400pF @ 800V |
- 10
- 15
- 50
- 100