• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 4
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Вид монтажа
Package / Case
Технология
Рабочая температура
Тип канала
Напряжение сток-исток (Vdss)
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Напряжение затвора (макс)
Серия
EPC2014 GANFET TRANS 40V 10A BUMPED DIE EPC Die Outline (5-Solder Bar) Surface Mount Die GaNFET (Gallium Nitride) -40°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 40V 10A (Ta) 16mOhm @ 5A, 5V 5V 2.5V @ 2mA 2.8nC @ 5V 325pF @ 20V +6V, -5V eGaN®
EPC2007 GANFET TRANS 100V 6A BUMPED DIE EPC Die Outline (5-Solder Bar) Surface Mount Die GaNFET (Gallium Nitride) -40°C ~ 125°C (TJ) N-Channel 100V 6A (Ta) 30mOhm @ 6A, 5V 5V 2.5V @ 1.2mA 2.8nC @ 5V 205pF @ 50V +6V, -5V eGaN®
EPC2014C GANFET TRANS 40V 10A BUMPED DIE EPC Die Outline (5-Solder Bar) Surface Mount Die GaNFET (Gallium Nitride) -40°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 40V 10A (Ta) 16mOhm @ 10A, 5V 5V 2.5V @ 2mA 2.5nC @ 5V 300pF @ 20V +6V, -4V eGaN®
EPC2007C GANFET TRANS 100V 6A BUMPED DIE EPC Die Outline (5-Solder Bar) Surface Mount Die GaNFET (Gallium Nitride) -40°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 100V 6A (Ta) 30mOhm @ 6A, 5V 5V 2.5V @ 1.2mA 2.2nC @ 5V 220pF @ 50V +6V, -4V eGaN®
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100