• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 2
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Вид монтажа
Package / Case
Рабочая температура
Тип канала
Напряжение сток-исток (Vdss)
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
FET Feature
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Серия
EPC2107 GANFET 3 N-CH 100V 9BGA EPC 9-BGA (1.35x1.35) Surface Mount 9-VFBGA -40°C ~ 150°C (TJ) 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 100V 1.7A, 500mA GaNFET (Gallium Nitride) 320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V 16pF @ 50V, 7pF @ 50V eGaN®
EPC2108 GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA EPC 9-BGA (1.35x1.35) Surface Mount 9-VFBGA -40°C ~ 150°C (TJ) 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 60V, 100V 1.7A, 500mA GaNFET (Gallium Nitride) 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V 22pF @ 30V, 7pF @ 30V eGaN®
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100