• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 6
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
Серия
GTVA101K42EV-V1-R250 GAN HEMT 50V 1400W 0.96-1.4GHZ Cree/Wolfspeed H-36275-4 1400W 960MHz ~ 1.215GHz 125V H-36275-4 HEMT 17dB 50V 200mA GaN
GTVA101K42EV-V1-R0 GAN HEMT 50V 1400W 0.96-1.4GHZ Cree/Wolfspeed H-36275-4 1400W 960MHz ~ 1.215GHz 125V H-36275-4 HEMT 17dB 50V GaN
PTVA035002EV-V1-R0 IC AMP RF LDMOS H-36275-4 Cree/Wolfspeed H-36275-4 500W 390MHz ~ 450MHz 105V H-36275-4 LDMOS 18dB 50V 500mA
PTVA101K02EV-V1-R0 IC AMP RF LDMOS H-36275-4 Cree/Wolfspeed H-36275-4 900W 1.03GHz ~ 1.09GHz 105V H-36275-4 LDMOS 21dB 50V 150mA
PTVA035002EV-V1-R250 RF LDMOS FET 500W, 390 - 450MHZ Cree/Wolfspeed H-36275-4 500W 390MHz ~ 450MHz 105V 10µA H-36275-4 LDMOS (Dual), Common Source 18dB 50V 500mA
PTVA127002EV-V1-R0 IC AMP RF LDMOS H-36275-4 Cree/Wolfspeed H-36275-4 700W 1.2GHz ~ 1.4GHz 105V 10µA H-36275-4 LDMOS 16dB 50V 150mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100