• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 18
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Вид монтажа
Частота
Номинальное напряжение
Package / Case
Тип транзистора
Технология
Рабочая температура
Тип канала
Усиление
Рассеиваемая мощность (Макс)
Напряжение сток-исток (Vdss)
Voltage - Test
Current - Test
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Напряжение затвора (макс)
Серия
CG2H80030D-GP4 RF MOSFET HEMT 28V DIE Cree/Wolfspeed Die 30W 8GHz 84V Die HEMT 16.5dB 28V 200mA GaN
CGH60030D-GP4 RF MOSFET HEMT 28V DIE Cree/Wolfspeed Die 30W 6GHz 84V Die HEMT 15dB 28V 250mA GaN
CGHV60040D-GP4 RF MOSFET HEMT 50V DIE Cree/Wolfspeed Die 40W 6GHz 150V Die HEMT 17dB 50V 65mA GaN
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100