• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 10
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Вид монтажа
Package / Case
Технология
Рабочая температура
Тип канала
Рассеиваемая мощность (Макс)
Напряжение сток-исток (Vdss)
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Напряжение затвора (макс)
Серия
C2M1000170J-TR MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247 Cree/Wolfspeed D2PAK-7 Surface Mount TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA SiCFET (Silicon Carbide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 78W (Tc) 1700V 5.3A (Tc) 1.4Ohm @ 2A, 20V 20V 3.1V @ 500µA (Typ) 13nC @ 20V 200pF @ 1000V +25V, -10V C2M™
C3M0065100J MOSFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7 Cree/Wolfspeed D2PAK-7 Surface Mount TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA SiCFET (Silicon Carbide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 113.5W (Tc) 1000V 35A (Tc) 78mOhm @ 20A, 15V 15V 3.5V @ 5mA 35nC @ 15V 660pF @ 600V +15V, -4V C3M™
C3M0280090J-TR MOSFET N-CH 900V 11A Cree/Wolfspeed D2PAK-7 Surface Mount TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA SiCFET (Silicon Carbide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 50W (Tc) 900V 11A (Tc) 360mOhm @ 7.5A, 15V 15V 3.5V @ 1.2mA 9.5nC @ 15V 150pF @ 600V +18V, -8V C3M™
C3M0065090J-TR MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7 Cree/Wolfspeed D2PAK-7 Surface Mount TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA SiCFET (Silicon Carbide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 113W (Tc) 900V 35A (Tc) 78mOhm @ 20A, 15V 15V 2.1V @ 5mA 30nC @ 15V 660pF @ 600V +19V, -8V C3M™
C3M0065090J MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7 Cree/Wolfspeed D2PAK-7 Surface Mount TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA SiCFET (Silicon Carbide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 113W (Tc) 900V 35A (Tc) 78mOhm @ 20A, 15V 15V 2.1V @ 5mA 30nC @ 15V 660pF @ 600V +19V, -8V C3M™
C3M0120090J MOSFET N-CH 900V 22A Cree/Wolfspeed D2PAK-7 Surface Mount TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA SiCFET (Silicon Carbide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 83W (Tc) 900V 22A (Tc) 155mOhm @ 15A, 15V 15V 3.5V @ 3mA 17.3nC @ 15V 350pF @ 600V +18V, -8V C3M™
C3M0075120J MOSFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7 Cree/Wolfspeed D2PAK-7 Surface Mount TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA SiCFET (Silicon Carbide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 113.6W (Tc) 1200V 30A (Tc) 90mOhm @ 20A, 15V 15V 4V @ 5mA 51nC @ 15V 1350pF @ 1000V +19V, -8V C3M™
C3M0120090J-TR MOSFET N-CH 900V 22A Cree/Wolfspeed D2PAK-7 Surface Mount TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA SiCFET (Silicon Carbide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 83W (Tc) 900V 22A (Tc) 155mOhm @ 15A, 15V 15V 3.5V @ 3mA 17.3nC @ 15V 350pF @ 600V +18V, -8V C3M™
C3M0120100J MOSFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7 Cree/Wolfspeed D2PAK-7 Surface Mount TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA SiCFET (Silicon Carbide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 83W (Tc) 1000V 22A (Tc) 155mOhm @ 15A, 15V 15V 3.5V @ 3mA 21.5nC @ 15V 350pF @ 600V +15V, -4V C3M™
C3M0280090J MOSFET N-CH 900V 11A Cree/Wolfspeed D2PAK-7 Surface Mount TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA SiCFET (Silicon Carbide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 50W (Tc) 900V 11A (Tc) 360mOhm @ 7.5A, 15V 15V 3.5V @ 1.2mA 9.5nC @ 15V 150pF @ 600V +18V, -8V C3M™
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100