• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 8
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
Серия
CGHV14250F RF MOSFET HEMT 50V 440162 Cree/Wolfspeed 440162 330W 1.2GHz ~ 1.4GHz 125V 42mA 440162 HEMT 18dB 50V 500mA GaN
CGH21120F 120W, GAN HEMT, 28V, 1.8-2.1GHZ, Cree/Wolfspeed 440162 120W 1.8GHz ~ 2.3GHz 84V 440162 HEMT 15dB 28V 500mA GaN
CGH25120F 120W GAN HEMT 28V 2.5-2.7GHZ FET Cree/Wolfspeed 440162 130W 2.3GHz ~ 2.7GHz 84V 440162 HEMT 12.5dB 28V 500mA GaN
CGHV27100F RF MOSFET HEMT 50V 440162 Cree/Wolfspeed 440162 100W 2.5GHz ~ 2.7GHz 50V 6A 440162 HEMT 18dB 50V 500mA GaN
CGHV22200F RF MOSFET HEMT 50V 440162 Cree/Wolfspeed 440162 200W 1.8GHz ~ 2.2GHz 125V 12A 440162 HEMT 18dB 50V 1A GaN
CGHV35120F 120W, GAN HEMT, 50V, 3.1-3.5GHZ, Cree/Wolfspeed 440162 120W 3.1GHz ~ 3.5GHz 125V 440162 HEMT 13dB 48V 220mA GaN
CGHV27200F RF MOSFET HEMT 50V 440162 Cree/Wolfspeed 440162 200W 2.5GHz ~ 2.7GHz 50V 12A 440162 HEMT 15dB ~ 16dB 50V 1A GaN
CGHV22100F RF MOSFET HEMT 50V 440162 Cree/Wolfspeed 440162 100W 1.8GHz ~ 2.2GHz 125V 6A 440162 HEMT 20dB 50V 500mA GaN
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100