-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Выходная мощность
|
Частота
|
Номинальное напряжение
|
Номинальный ток
|
Package / Case
|
Тип транзистора
|
Усиление
|
Voltage - Test
|
Current - Test
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PTAB182002FC-V1-R0 | IC RF FET LDMOS 190W H-37248-4 | Cree/Wolfspeed | H-37248-4 | 29W | 1.88GHz | 65V | 10µA | H-37248-4 | LDMOS | 15.5dB | 28V | 520mA | |
| CGHV1F025S | RF MOSFET HEMT 40V 12DFN | Cree/Wolfspeed | 12-DFN (4x3) | 29W | 0Hz ~ 15GHz | 100V | 2A | 12-VFDFN Exposed Pad | HEMT | 11.6dBm | 40V | 150mA | GaN |
- 10
- 15
- 50
- 100