• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 5
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
Серия
PTFA211801E-V5-R0 RF MOSFET LDMOS 28V H-36260-2 Cree/Wolfspeed H-36260-2 180W 2.11GHz ~ 2.17GHz 65V 10µA 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged LDMOS 15.5dB 28V 1.2A
GTVA311801FA-V1-R2 GAN HEMT 50V 180W 2.7-3.1GHZ Cree/Wolfspeed H-37265J-2 180W 2.7GHz ~ 3.1GHz 125V H-37265J-2 HEMT 15dB 50V 20mA GaN
CGHV40180P 180W, GAN HEMT, 50V, DC-4.0GHZ, Cree/Wolfspeed 440206 180W 2GHz 125V 440206 HEMT 19.8dB 50V 1A GaN
CGHV40180F RF MOSFET HEMT 50V 440223 Cree/Wolfspeed 440223 180W 0Hz ~ 1GHz 125V 12.1A 440223 HEMT 24dB 50V 1A GaN
GTVA311801FA-V1-R0 GAN HEMT 50V 180W 2.7-3.1GHZ Cree/Wolfspeed H-37265J-2 180W 2.7GHz ~ 3.1GHz 125V H-37265J-2 HEMT 15dB 50V GaN
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100