• Производитель
  • Тип корпуса
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
Найдено: 407
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Мощность - Макс.
Выходная мощность
Вид монтажа
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Технология
Рабочая температура
Тип канала
Усиление
Рассеиваемая мощность (Макс)
Напряжение сток-исток (Vdss)
Voltage - Test
Current - Test
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
FET Feature
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Напряжение затвора (макс)
Серия
CAS300M12BM2 MOSFET 2N-CH 1200V 404A MODULE Cree/Wolfspeed Module 1660W Chassis Mount Module, Screw Terminals 150°C (TJ) 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 423A (Tc) Silicon Carbide (SiC) 5.7mOhm @ 300A, 20V 2.3V @ 15mA (Typ) 1025nC @ 20V 11700pF @ 600V Z-FET™
CGH40025P RF MOSFET HEMT 28V 440196 Cree/Wolfspeed 440196 30W 6GHz 84V 440196 HEMT 13dB 28V GaN
PTAC210802FC-V1-R250 IC AMP RF LDMOS Cree/Wolfspeed
CCS020M12CM2 MOSFET 6N-CH 1200V 29.5A MODULE Cree/Wolfspeed Module 167W Chassis Mount Module -40°C ~ 150°C (TJ) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 1200V (1.2kV) 29.5A (Tc) Silicon Carbide (SiC) 98mOhm @ 20A, 20V 2.2V @ 1mA (Typ) 61.5nC @ 20V 900pF @ 800V Z-Rec®
C3M0075120D MOSFET 1200V, 75 MOHM, G3 SIC Cree/Wolfspeed TO-247-3 Through Hole TO-247-3 SiCFET (Silicon Carbide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 113.6W (Tc) 1200V 30A (Tc) 90mOhm @ 20A, 15V 15V 4V @ 5mA 54nC @ 15V 1350pF @ 1000V +19V, -8V C3M™
E3M0280090D E-SERIES 900V, 280 MOHM, G3 SIC Cree/Wolfspeed TO-247-3 Through Hole TO-247-3 SiCFET (Silicon Carbide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 54W (Tc) 900V 11.5A (Tc) 360mOhm @ 7.5A, 15V 15V 3.5V @ 1.2mA 9.5nC @ 15V 150pF @ 600V +18V, -8V Automotive, AEC-Q101, E
PTFB193404F-V1-R250 IC AMP RF LDMOS Cree/Wolfspeed H-37275-6/2 80W 1.99GHz 65V H-37275-6/2 LDMOS 19dB 30V 2.6A
PTFC262808FV-V1-R0 RF MOSFET TRANSISTORS Cree/Wolfspeed
CGH40045P 45W, GAN HEMT, 28V, DC-4.0GHZ, P Cree/Wolfspeed 440206 45W 4GHz 84V 440206 HEMT 14dB 28V 400mA GaN
C3M0065090J-TR MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7 Cree/Wolfspeed D2PAK-7 Surface Mount TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA SiCFET (Silicon Carbide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 113W (Tc) 900V 35A (Tc) 78mOhm @ 20A, 15V 15V 2.1V @ 5mA 30nC @ 15V 660pF @ 600V +19V, -8V C3M™
PTRA097008NB-V1-R2 RF LDMOS FET 630W, 920 - 960MHZ Cree/Wolfspeed PG-HB2SOF-6-1 630W 920MHz ~ 960MHz 105V 10µA HB2SOF-6-1 LDMOS (Dual), Common Source 19dB 50V 600mA
CGH09120F RF MOSFET HEMT 28V 440095 Cree/Wolfspeed 440095 120W 2.5GHz 84V 440095 HEMT 21.5dB 28V 1.2A GaN
PTFA092201E-V4-R250 FET RF 65V 960MHZ H-36260-2 Cree/Wolfspeed H-36260-2 220W 960MHz 65V 10µA 2-Flatpack, Fin Leads LDMOS 18.5dB 30V 1.85A
PTVA042502EC-V1-R2 RF MOSFET TRANSISTORS Cree/Wolfspeed
PXAC261002FC-V1 IC AMP RF LDMOS Cree/Wolfspeed H-37248-4 18W 2.69GHz 65V H-37248-4 LDMOS 15.1dB 26V 210mA