• Производитель
  • Тип корпуса
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 407
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Мощность - Макс.
Выходная мощность
Вид монтажа
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Технология
Рабочая температура
Тип канала
Усиление
Коэффициент шума
Рассеиваемая мощность (Макс)
Напряжение сток-исток (Vdss)
Voltage - Test
Current - Test
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
FET Feature
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Напряжение затвора (макс)
Серия
PXAC182002FC-V1-R0 RF MOSFET TRANSISTORS Cree/Wolfspeed
GTVA123501FA-V1-R0 350W GAN HEMT 50V 1.2-1.4GHZ FET Cree/Wolfspeed H-37265J-2 350W 1.2GHz ~ 1.4GHz 125V H-37265J-2 HEMT 20dB 50V 100mA GaN
GTVA101K42EV-V1-R250 GAN HEMT 50V 1400W 0.96-1.4GHZ Cree/Wolfspeed H-36275-4 1400W 960MHz ~ 1.215GHz 125V H-36275-4 HEMT 17dB 50V 200mA GaN
CGH40006S RF MOSFET HEMT 28V 6QFN Cree/Wolfspeed 6-QFN-EP (3x3) 8W 0Hz ~ 6GHz 84V 6-VDFN Exposed Pad HEMT 12dB 28V 100mA GaN
PTFB192503FL-V2-R0 IC AMP RF LDMOS H-34288-4 Cree/Wolfspeed H-34288-4/2 50W 1.99GHz 65V 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged LDMOS 19dB 30V 1.9A
PTFB182503FL-V2-R250 IC AMP RF LDMOS Cree/Wolfspeed
CGH21240F GAN HEMT 28V 1.8-2.1GHZ Cree/Wolfspeed 440117 240W 1.8GHz ~ 2.3GHz 84V 440117 HEMT 15dB 28V 1A GaN
PXAC201202FC-V2-R250 IC AMP RF LDMOS Cree/Wolfspeed H-37248-4 16W 2.2GHz 65V H-37248-4 LDMOS 17dB 28V 240mA
PXAE1837078NB-V1-R0 SI LDMOS AMP 300W 1805-1880MHZ Cree/Wolfspeed
PTFB183404F-V2-R0 IC AMP RF LDMOS H-37275-6 Cree/Wolfspeed H-37275-6/2 80W 1.88GHz 65V H-37275-6/2 LDMOS 17dB 30V 2.6A
CGHV96050F2 RF MOSFET HEMT 40V 440210 Cree/Wolfspeed 440210 70W 7.9GHz ~ 9.6GHz 100V 6A 440210 HEMT 10dB 40V 500mA GaN
CGHV14250F RF MOSFET HEMT 50V 440162 Cree/Wolfspeed 440162 330W 1.2GHz ~ 1.4GHz 125V 42mA 440162 HEMT 18dB 50V 500mA GaN
CGH21120F 120W, GAN HEMT, 28V, 1.8-2.1GHZ, Cree/Wolfspeed 440162 120W 1.8GHz ~ 2.3GHz 84V 440162 HEMT 15dB 28V 500mA GaN
CGH40010F RF MOSFET HEMT 28V 440166 Cree/Wolfspeed 440166 12.5W 0Hz ~ 6GHz 84V 3.5A 440166 HEMT 14.5dB 28V 200mA GaN
PTFB212503EL-V1-R250 IC AMP RF LDMOS Cree/Wolfspeed H-33288-6 55W 2.17GHz 65V H-33288-6 LDMOS 18.1dB 30V 1.85A
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100