• Производитель
  • Тип корпуса
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 407
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Мощность - Макс.
Выходная мощность
Вид монтажа
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Технология
Рабочая температура
Тип канала
Усиление
Коэффициент шума
Рассеиваемая мощность (Макс)
Напряжение сток-исток (Vdss)
Voltage - Test
Current - Test
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
FET Feature
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Напряжение затвора (макс)
Серия
PXAC201602FC-V1-R0 IC AMP RF LDMOS H-37248-4 Cree/Wolfspeed H-37248-4 22.5W 2.02GHz 65V H-37248-4 LDMOS 17.7dB 28V 360mA
GTVA220701FA-V1-R2 GAN SIC Cree/Wolfspeed
PXAC241702FC-V1-R250 IC AMP RF LDMOS Cree/Wolfspeed H-37248-4 28W 2.4GHz 65V H-37248-4 LDMOS 16.5dB 28V 360mA
PTVA120251EA-V1 RF MOSFET LDMOS H-36265-2 Cree/Wolfspeed H-36265-2 34W 500MHz ~ 1.4GHz 105V 10µA H-36265-2 LDMOS 15.8dB
PXAD184218FV-V1-R2 IC AMP RF LDMOS H-37275G-6 Cree/Wolfspeed H-37275G-6/2 130W 1.805GHz ~ 1.88GHz 65V 10µA H-37275G-6/2 LDMOS 14dB 28V 720mA
PTVA093002ND-V1-R5 IC RF FET LDMOS 300W PG-HB1SOF-4 Cree/Wolfspeed
CGHV59350F RF MOSFET HEMT 50V 440217 Cree/Wolfspeed 440217 450W 5.2GHz ~ 5.9GHz 125V 24A 440217 HEMT 11.2dB 50V 1A GaN
PTVA101K02EV-V1-R250 RF DEVELOPMENT TOOLS Cree/Wolfspeed
GTRA362802FC-V1-R0 280W, GAN HEMT, 48V, 3400-3600MH Cree/Wolfspeed H-37248C-4 280W 3.4GHz ~ 3.6GHz 125V H-37248C-4 HEMT 13.5dB 48V 200mA GaN
CGHV1J006D-GP4 RF MOSFET HEMT 40V DIE Cree/Wolfspeed Die 6W 18GHz 100V Die HEMT 17dB 40V 30mA GaN
PTVA042502FC-V1-R250 IC AMP RF LDMOS Cree/Wolfspeed
PTFB211503FL-V2-R250 IC AMP RF LDMOS Cree/Wolfspeed H-34288-4/2 32W 2.17GHz 65V 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged LDMOS 18dB 30V 1.2A
GTVA263202FC-V1-R2 RF SIC HEMT 340W,2620 - 2690MHZ Cree/Wolfspeed H-37248-4 340W 2.62GHz ~ 2.69GHz 125V H-37248-4 HEMT 17dB 48V 200mA GaN
PXAE263708NB-V1-R0 SI LDMOS AMP 370W 2496-2690MHZ Cree/Wolfspeed PG-HB2SOF-8-1 57W 2.62GHz ~ 2.69GHz 65V 10µA PG-HB2SOF-8-1 LDMOS 14dB 28V 850mA
PTFB193404F-V1-R0 IC AMP RF LDMOS H-37275-6 Cree/Wolfspeed H-37275-6/2 80W 1.99GHz 65V H-37275-6/2 LDMOS 19dB 30V 2.6A
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100