• Производитель
  • Тип корпуса
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 407
  • CGHV1J025D-GP4
    RF MOSFET HEMT 40V DIE
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Серия: GaN
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    • Частота: 18GHz
    • Номинальное напряжение: 100V
    • Current - Test: 120mA
    • Выходная мощность: 25W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 17dB
    • Voltage - Test: 40V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CPMF-1200-S080B
    MOSFET N-CHANNEL 1200V 50A DIE
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Серия: Z-FET™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 50A (Tj)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 1mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 90.8nC @ 20V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1915pF @ 800V
    • Технология: SiCFET (Silicon Carbide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 313mW (Tj)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
    • Напряжение затвора (макс): +25V, -5V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PTAC240502FC-V1-R0
    IC AMP RF LDMOS H-37248-4
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Package / Case: H-37248-4
    • Тип корпуса: H-37248-4
    • Частота: 2.4GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 120mA
    • Выходная мощность: 50W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 14.3dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PXFE211507FC-V1-R0
    150W, SI LDMOS, 28V, 2110-2170MH
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Package / Case: H-37248G-4/2
    • Тип корпуса: H-37248G-4/2
    • Частота: 2.11GHz ~ 2.17GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 900mA
    • Выходная мощность: 170W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 18dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CGH40180PP
    RF MOSFET HEMT 28V 440199
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Серия: GaN
    • Package / Case: 440199
    • Тип корпуса: 440199
    • Частота: 0Hz ~ 2.5GHz
    • Номинальное напряжение: 84V
    • Current - Test: 2A
    • Выходная мощность: 220W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 19dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 56A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • C3M0075120J-TR
    1200V, 75 MOHM, G3 SIC MOSFET ON
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Серия: C3M™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
    • Тип корпуса: TO-263-7
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 5mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 15V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 1000V
    • Технология: SiCFET (Silicon Carbide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 113.6W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
    • Напряжение затвора (макс): +15V, -4V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PTFC262157FH-V1-R250
    IC AMP RF LDMOS
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PTVA104501EH-V1-R250
    IC AMP RF LDMOS
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CGHV35150F
    RF MOSFET HEMT 50V 440193
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Серия: GaN
    • Package / Case: 440193
    • Тип корпуса: 440193
    • Частота: 2.9GHz ~ 3.5GHz
    • Номинальное напряжение: 125V
    • Current - Test: 500mA
    • Выходная мощность: 170W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 13.3dB
    • Voltage - Test: 50V
    • Номинальный ток: 12A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PTFB211503EL-V1-R250
    IC AMP RF LDMOS
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Package / Case: H-33288-6
    • Тип корпуса: H-33288-6
    • Частота: 2.17GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 1.2A
    • Выходная мощность: 32W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 18dB
    • Voltage - Test: 30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • C3M0021120K
    1200V, 21 MOHM, G3 SIC MOSFET
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Серия: C3M™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-4
    • Тип корпуса: TO-247-4L
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.8mOhm @ 50A, 15V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.6V @ 17.7mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 162nC @ 15V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4818pF @ 1000V
    • Технология: SiCFET (Silicon Carbide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 469W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
    • Напряжение затвора (макс): +15V, -4V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CAS325M12HM2
    MOSFET 2N-CH 1200V 444A MODULE
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Серия: Z-Rec®
    • Рабочая температура: 175°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: Module
    • Тип канала: 2 N-Channel (Half Bridge)
    • FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 444A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 400A, 20V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 105mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 1127nC @ 20V
    • Мощность - Макс.: 3000W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • C3M0120100K
    MOSFET N-CH 1000V 22A TO247-4L
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Серия: C3M™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-4
    • Тип корпуса: TO-247-4L
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1000V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5nC @ 15V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 600V
    • Технология: SiCFET (Silicon Carbide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 83W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
    • Напряжение затвора (макс): ±15V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PXAC261212FC-V1
    IC AMP RF LDMOS
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Package / Case: H-37248-4
    • Тип корпуса: H-37248-4
    • Частота: 2.69GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 280mA
    • Выходная мощность: 28W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 15dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PXAC241702FC-V1
    IC AMP RF LDMOS
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Package / Case: H-37248-4
    • Тип корпуса: H-37248-4
    • Частота: 2.4GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 360mA
    • Выходная мощность: 28W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 16.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100