- Производитель
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Номинальное напряжение
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Мощность - Макс.
|
Выходная мощность
|
Вид монтажа
|
Частота
|
Номинальное напряжение
|
Номинальный ток
|
Package / Case
|
Тип транзистора
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Тип канала
|
Усиление
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Voltage - Test
|
Current - Test
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
FET Feature
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
Напряжение затвора (макс)
|
Серия
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
C3M0075120K | MOSFET N-CH 1200V 30A TO247-4 | Cree/Wolfspeed | TO-247-4L | Through Hole | TO-247-4 | SiCFET (Silicon Carbide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 113.6W (Tc) | 1200V | 30A (Tc) | 90mOhm @ 20A, 15V | 15V | 4V @ 5mA | 51nC @ 15V | 1350pF @ 1000V | +19V, -8V | C3M™ | ||||||||||
CAB400M12XM3 | MOSFET 2 N-CH 1200V MODULE | Cree/Wolfspeed | Chassis Mount | Module | -40°C ~ 175°C (TJ) | 2 N-Channel (Dual) | 1200V | 395A (Tc) | Silicon Carbide (SiC) | 5.3mOhm @ 400A, 15V | 3.6V @ 92mA | 908nC @ 15V | 2450pF @ 800V | |||||||||||||||
PTFB182503FL-V2-R250 | IC AMP RF LDMOS | Cree/Wolfspeed | ||||||||||||||||||||||||||
PXAC201202FC-V2-R250 | IC AMP RF LDMOS | Cree/Wolfspeed | H-37248-4 | 16W | 2.2GHz | 65V | H-37248-4 | LDMOS | 17dB | 28V | 240mA | |||||||||||||||||
PTFB183404F-V2-R0 | IC AMP RF LDMOS H-37275-6 | Cree/Wolfspeed | H-37275-6/2 | 80W | 1.88GHz | 65V | H-37275-6/2 | LDMOS | 17dB | 30V | 2.6A | |||||||||||||||||
CAB450M12XM3 | 1.2KV 450A SIC HALF BRIDGE MOD | Cree/Wolfspeed | Module | 850W | Chassis Mount | Module | -40°C ~ 175°C (TJ) | 2 N-Channel (Half Bridge) | 1200V | 450A | Silicon Carbide (SiC) | 3.7mOhm @ 450A, 15V | 3.6V @ 132mA | 1330nC @ 15V | 38000pF @ 800V | |||||||||||||
CGHV96050F2 | RF MOSFET HEMT 40V 440210 | Cree/Wolfspeed | 440210 | 70W | 7.9GHz ~ 9.6GHz | 100V | 6A | 440210 | HEMT | 10dB | 40V | 500mA | GaN | |||||||||||||||
CGHV14250F | RF MOSFET HEMT 50V 440162 | Cree/Wolfspeed | 440162 | 330W | 1.2GHz ~ 1.4GHz | 125V | 42mA | 440162 | HEMT | 18dB | 50V | 500mA | GaN | |||||||||||||||
C3M0032120K | MOSFET N-CH SIC 1200V 100A | Cree/Wolfspeed | TO-247-4L | Through Hole | TO-247-4 | SiCFET (Silicon Carbide) | -40°C ~ 175°C (TJ) | N-Channel | 283W (Tc) | 1200V | 63A (Tc) | 43mOhm @ 40A, 15V | 15V | 3.6V @ 11.5mA | 118nC @ 15V | 3357pF @ 1000V | +15V, -4V | C3M™ | ||||||||||
PTFB212503EL-V1-R250 | IC AMP RF LDMOS | Cree/Wolfspeed | H-33288-6 | 55W | 2.17GHz | 65V | H-33288-6 | LDMOS | 18.1dB | 30V | 1.85A | |||||||||||||||||
E3M0120090D | E-SERIES 900V, 120 MOHM, G3 SIC | Cree/Wolfspeed | TO-247-3 | Through Hole | TO-247-3 | SiCFET (Silicon Carbide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 97W (Tc) | 900V | 23A (Tc) | 155mOhm @ 15A, 15V | 15V | 3.5V @ 3mA | 17.3nC @ 15V | 350pF @ 600V | +18V, -8V | Automotive, AEC-Q101, E | ||||||||||
PXAC260602FC-V1-R250 | IC AMP RF LDMOS | Cree/Wolfspeed | H-37248-4 | 5W | 2.69GHz | 65V | H-37248-4 | LDMOS | 15.7dB | 28V | 85mA | |||||||||||||||||
PTFB090901FA-V2-R250 | IC AMP RF LDMOS | Cree/Wolfspeed | ||||||||||||||||||||||||||
PTRA094252FC-V1-R0 | RF MOSFET LDMOS DUAL H-37248-4 | Cree/Wolfspeed | H-37248-4 | 351.5W | 746MHz ~ 960MHz | 105V | 10µA | H-37248-4 | LDMOS (Dual), Common Source | 23dB | ||||||||||||||||||
PTFB091507FH-V1-R250 | IC AMP RF LDMOS | Cree/Wolfspeed |
- 10
- 15
- 50
- 100