- Производитель
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Номинальное напряжение
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Мощность - Макс.
|
Выходная мощность
|
Вид монтажа
|
Частота
|
Номинальное напряжение
|
Номинальный ток
|
Package / Case
|
Тип транзистора
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Тип канала
|
Усиление
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Voltage - Test
|
Current - Test
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
FET Feature
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
Напряжение затвора (макс)
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CGHV14500F | RF MOSFET HEMT 50V 440117 | Cree/Wolfspeed | 440117 | 500W | 1.2GHz ~ 1.4GHz | 125V | 36A | 440117 | HEMT | 17dB | 50V | 500mA | GaN | |||||||||||||||
| C3M0120090D | 900V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET | Cree/Wolfspeed | TO-247-3 | Through Hole | TO-247-3 | SiCFET (Silicon Carbide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 97W (Tc) | 900V | 23A (Tc) | 155mOhm @ 15A, 15V | 15V | 3.5V @ 3mA | 17.3nC @ 15V | 350pF @ 600V | +18V, -8V | C3M™ | ||||||||||
| PTFC262157FH-V1-R0 | RF MOSFET TRANSISTORS | Cree/Wolfspeed | ||||||||||||||||||||||||||
| C3M0030090K | ZFET 900V, 30 MOHM, G3 SIC MOSFE | Cree/Wolfspeed | TO-247-4 | Through Hole | TO-247-4 | SiCFET (Silicon Carbide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 149W (Tc) | 900V | 63A (Tc) | 39mOhm @ 35A, 15V | 15V | 3.5V @ 11mA | 87nC @ 15V | 1864pF @ 600V | +15V, -4V | C3M™ | ||||||||||
| PTFB211501E-V1-R0 | IC AMP RF LDMOS H-36248-2 | Cree/Wolfspeed | H-36248-2 | 40W | 2.17GHz | 65V | H-36248-2 | LDMOS | 18dB | 30V | 1.2A | |||||||||||||||||
| PTFA211801E-V5-R0 | RF MOSFET LDMOS 28V H-36260-2 | Cree/Wolfspeed | H-36260-2 | 180W | 2.11GHz ~ 2.17GHz | 65V | 10µA | 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged | LDMOS | 15.5dB | 28V | 1.2A | ||||||||||||||||
| PXAC241702FC-V1-R250 | IC AMP RF LDMOS | Cree/Wolfspeed | H-37248-4 | 28W | 2.4GHz | 65V | H-37248-4 | LDMOS | 16.5dB | 28V | 360mA | |||||||||||||||||
| PTVA120251EA-V1 | RF MOSFET LDMOS H-36265-2 | Cree/Wolfspeed | H-36265-2 | 34W | 500MHz ~ 1.4GHz | 105V | 10µA | H-36265-2 | LDMOS | 15.8dB | ||||||||||||||||||
| PXAD184218FV-V1-R2 | IC AMP RF LDMOS H-37275G-6 | Cree/Wolfspeed | H-37275G-6/2 | 130W | 1.805GHz ~ 1.88GHz | 65V | 10µA | H-37275G-6/2 | LDMOS | 14dB | 28V | 720mA | ||||||||||||||||
| CGHV59350F | RF MOSFET HEMT 50V 440217 | Cree/Wolfspeed | 440217 | 450W | 5.2GHz ~ 5.9GHz | 125V | 24A | 440217 | HEMT | 11.2dB | 50V | 1A | GaN | |||||||||||||||
| PTFB211503FL-V2-R250 | IC AMP RF LDMOS | Cree/Wolfspeed | H-34288-4/2 | 32W | 2.17GHz | 65V | 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged | LDMOS | 18dB | 30V | 1.2A | |||||||||||||||||
| PTFB193404F-V1-R0 | IC AMP RF LDMOS H-37275-6 | Cree/Wolfspeed | H-37275-6/2 | 80W | 1.99GHz | 65V | H-37275-6/2 | LDMOS | 19dB | 30V | 2.6A | |||||||||||||||||
| PXAC182002FC-V1-R0 | RF MOSFET TRANSISTORS | Cree/Wolfspeed | ||||||||||||||||||||||||||
| C2M0080170P | ZFET SIC DMOSFET, 1700V VDS, RDS | Cree/Wolfspeed | TO-247-4 | Through Hole | TO-247-4 | SiCFET (Silicon Carbide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 277W (Tc) | 1700V | 40A (Tc) | 125mOhm @ 28A, 20V | 20V | 4V @ 10mA | 120nC @ 20V | 2250pF @ 1000V | +25V, -10V | C2M™ | ||||||||||
| PTFB192503FL-V2-R0 | IC AMP RF LDMOS H-34288-4 | Cree/Wolfspeed | H-34288-4/2 | 50W | 1.99GHz | 65V | 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged | LDMOS | 19dB | 30V | 1.9A |
- 10
- 15
- 50
- 100