-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Мощность - Макс.
|
Вид монтажа
|
Package / Case
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Тип канала
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
FET Feature
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
Напряжение затвора (макс)
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CMS02P02T6-HF | MOSFET P-CH 20V SOT26 | Comchip Technology | SOT-26 | 1.25W (Tc) | Surface Mount | SOT-23-6 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 2 P-Channel (Dual) | 20V | 2.5A (Tc) | Standard | 90mOhm @ 2.5A, 4.5V | 1V @ 250µA | 4.8nC @ 4.5V | 350pF @ 15V | ||||
| CMS02P06T6-HF | MOSFET P-CH -60VDS 20VGS -2.4A S | Comchip Technology | SOT-26 | Surface Mount | SOT-23-6 | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | P-Channel | 1.1W (Ta) | 60V | 2.4A (Ta) | 175mOhm @ 2A, 10V | 4.5V, 10V | 3V @ 250µA | 4.6nC @ 4.5V | 531pF @ 15V | ±20V |
- 10
- 15
- 50
- 100