Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Comchip Technology SOT-26
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип полевого транзистора
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: Comchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-23-6
- Тип корпуса: SOT-26
- Тип полевого транзистора: 2 P-Channel (Dual)
- FET Feature: Standard
- Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 4.5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 15V
- Мощность - Макс.: 1.25W (Tc)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Comchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-23-6
- Тип корпуса: SOT-26
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 2A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 531pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 1.1W (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100