Найдено: 11
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Коэффициент шума
Voltage - Test
Current - Test
NE3515S02-A FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 CEL S02 14dBm 12GHz 4V 88mA 4-SMD, Flat Leads HFET 12.5dB 0.3dB 2V 10mA
NE3516S02-T1C-A IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX CEL S02 165mW 12GHz 4V 60mA 4-SMD, Flat Leads N-Channel GaAs HJ-FET 14dB 0.35dB 2V 10mA
NE3515S02-T1C-A FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 CEL S02 14dBm 12GHz 4V 88mA 4-SMD, Flat Leads HFET 12.5dB 0.3dB 2V 10mA
NE3511S02-T1C-A IC AMP RF LNA 13.5DB S02 CEL S02 12GHz 4V 70mA 4-SMD, Flat Leads HFET 13.5dB 0.3dB 2V 10mA
NE3511S02-A HJ-FET NCH 13.5DB S02 CEL S02 12GHz 4V 70mA 4-SMD, Flat Leads HFET 13.5dB 0.3dB 2V 10mA
NE3512S02-A HJ-FET NCH 13.5DB S02 CEL S02 12GHz 4V 70mA 4-SMD, Flat Leads HFET 13.5dB 0.35dB 2V 10mA
NE3516S02-A IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX CEL S02 165mW 12GHz 4V 60mA 4-SMD, Flat Leads N-Channel GaAs HJ-FET 14dB 0.35dB 2V 10mA
NE3515S02-T1D-A FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 CEL S02 14dBm 12GHz 4V 88mA 4-SMD, Flat Leads HFET 12.5dB 0.3dB 2V 10mA
NE3512S02-T1C-A HJ-FET NCH 13.5DB S02 CEL S02 12GHz 4V 70mA 4-SMD, Flat Leads HFET 13.5dB 0.35dB 2V 10mA
NE3514S02-A HJ-FET NCH 10DB S02 CEL S02 20GHz 4V 70mA 4-SMD, Flat Leads HFET 10dB 0.75dB 2V 10mA
NE3514S02-T1C-A HJ-FET NCH 10DB S02 CEL S02 20GHz 4V 70mA 4-SMD, Flat Leads HFET 10dB 0.75dB 2V 10mA