Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET CEL

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 69
  • CE3512K2
    RF FET 4V 12GHZ 4MICROX
    CEL
    • Производитель: CEL
    • Package / Case: 4-Micro-X
    • Тип корпуса: 4-Micro-X
    • Частота: 12GHz
    • Номинальное напряжение: 4V
    • Current - Test: 10mA
    • Выходная мощность: 125mW
    • Тип транзистора: pHEMT FET
    • Усиление: 13.7dB
    • Voltage - Test: 2V
    • Коэффициент шума: 0.5dB
    • Номинальный ток: 15mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NE4210S01-T1B
    HJ-FET 13DB S01
    CEL
    • Производитель: CEL
    • Package / Case: 4-SMD
    • Тип корпуса: SMD
    • Частота: 12GHz
    • Номинальное напряжение: 4V
    • Current - Test: 10mA
    • Тип транзистора: HFET
    • Усиление: 13dB
    • Voltage - Test: 2V
    • Коэффициент шума: 0.5dB
    • Номинальный ток: 15mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NE3515S02-A
    FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
    CEL
    • Производитель: CEL
    • Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
    • Тип корпуса: S02
    • Частота: 12GHz
    • Номинальное напряжение: 4V
    • Current - Test: 10mA
    • Выходная мощность: 14dBm
    • Тип транзистора: HFET
    • Усиление: 12.5dB
    • Voltage - Test: 2V
    • Коэффициент шума: 0.3dB
    • Номинальный ток: 88mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NE3210S01
    FET RF 4V 12GHZ S01
    CEL
    • Производитель: CEL
    • Package / Case: 4-SMD
    • Тип корпуса: SMD
    • Частота: 12GHz
    • Номинальное напряжение: 4V
    • Current - Test: 10mA
    • Тип транзистора: HFET
    • Усиление: 13.5dB
    • Voltage - Test: 2V
    • Коэффициент шума: 0.35dB
    • Номинальный ток: 15mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NE3508M04-T2-A
    FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM
    CEL
    • Производитель: CEL
    • Package / Case: SOT-343F
    • Тип корпуса: F4TSMM, M04
    • Частота: 2GHz
    • Номинальное напряжение: 4V
    • Current - Test: 10mA
    • Выходная мощность: 18dBm
    • Тип транзистора: HFET
    • Усиление: 14dB
    • Voltage - Test: 2V
    • Коэффициент шума: 0.45dB
    • Номинальный ток: 120mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NE6510179A-A
    FET RF 8V 1.9GHZ 79A
    CEL
    • Производитель: CEL
    • Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
    • Тип корпуса: 79A
    • Частота: 1.9GHz
    • Номинальное напряжение: 8V
    • Current - Test: 200mA
    • Выходная мощность: 32.5dBm
    • Тип транзистора: HFET
    • Усиление: 10dB
    • Voltage - Test: 3.5V
    • Номинальный ток: 2.8A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NE5550979A-T1-A
    FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG
    CEL
    • Производитель: CEL
    • Package / Case: 79A
    • Тип корпуса: 79A
    • Частота: 900MHz
    • Номинальное напряжение: 30V
    • Current - Test: 200mA
    • Выходная мощность: 38.6dBm
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 22dB
    • Voltage - Test: 7.5V
    • Номинальный ток: 3A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NE55410GR-T3-AZ
    FET RF 65V 2.14GHZ 16-HTSSOP
    CEL
    • Производитель: CEL
    • Package / Case: 16-DFF, Exposed Pad
    • Тип корпуса: 16-HTSSOP
    • Частота: 2.14GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 20mA
    • Выходная мощность: 35.4dBm
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 13.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 250mA, 1A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NE3509M04-T2-A
    FET RF 4V 2GHZ SOT-343
    CEL
    • Производитель: CEL
    • Package / Case: SOT-343F
    • Тип корпуса: M04
    • Частота: 2GHz
    • Номинальное напряжение: 4V
    • Current - Test: 10mA
    • Выходная мощность: 11dBm
    • Тип транзистора: HFET
    • Усиление: 17.5dB
    • Voltage - Test: 2V
    • Коэффициент шума: 0.4dB
    • Номинальный ток: 60mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NE3516S02-T1C-A
    IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
    CEL
    • Производитель: CEL
    • Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
    • Тип корпуса: S02
    • Частота: 12GHz
    • Номинальное напряжение: 4V
    • Current - Test: 10mA
    • Выходная мощность: 165mW
    • Тип транзистора: N-Channel GaAs HJ-FET
    • Усиление: 14dB
    • Voltage - Test: 2V
    • Коэффициент шума: 0.35dB
    • Номинальный ток: 60mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NE3515S02-T1C-A
    FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
    CEL
    • Производитель: CEL
    • Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
    • Тип корпуса: S02
    • Частота: 12GHz
    • Номинальное напряжение: 4V
    • Current - Test: 10mA
    • Выходная мощность: 14dBm
    • Тип транзистора: HFET
    • Усиление: 12.5dB
    • Voltage - Test: 2V
    • Коэффициент шума: 0.3dB
    • Номинальный ток: 88mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NE650103M-A
    FET RF 15V 2.3GHZ 3M
    CEL
    • Производитель: CEL
    • Package / Case: SOT-445 Variant
    • Тип корпуса: 3M
    • Частота: 2.3GHz
    • Номинальное напряжение: 15V
    • Current - Test: 1.5A
    • Выходная мощность: 40dBm
    • Тип транзистора: MESFET
    • Усиление: 11dB
    • Voltage - Test: 10V
    • Номинальный ток: 5A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NE5550279A-A
    FET RF 30V 900MHZ 79A
    CEL
    • Производитель: CEL
    • Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
    • Тип корпуса: 79A
    • Частота: 900MHz
    • Номинальное напряжение: 30V
    • Current - Test: 40mA
    • Выходная мощность: 33dBm
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 22.5dB
    • Voltage - Test: 7.5V
    • Номинальный ток: 600mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CE3514M4-C2
    RF MOSFET PHEMT FET 2V
    CEL
    • Производитель: CEL
    • Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
    • Тип корпуса: 4-Super Mini Mold
    • Частота: 12GHz
    • Номинальное напряжение: 4V
    • Current - Test: 15mA
    • Выходная мощность: 125mW
    • Тип транзистора: pHEMT FET
    • Усиление: 12.2dB
    • Voltage - Test: 2V
    • Коэффициент шума: 0.62dB
    • Номинальный ток: 68mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NE5531079A-T1-A
    FET RF 30V 460MHZ 79A
    CEL
    • Производитель: CEL
    • Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
    • Тип корпуса: 79A
    • Частота: 460MHz
    • Номинальное напряжение: 30V
    • Current - Test: 200mA
    • Выходная мощность: 40dBm
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Voltage - Test: 7.5V
    • Номинальный ток: 3A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100