• Производитель
  • Тип корпуса
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 69
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Коэффициент шума
Voltage - Test
Current - Test
CE3512K2 RF FET 4V 12GHZ 4MICROX CEL 4-Micro-X 125mW 12GHz 4V 15mA 4-Micro-X pHEMT FET 13.7dB 0.5dB 2V 10mA
NE4210S01-T1B HJ-FET 13DB S01 CEL SMD 12GHz 4V 15mA 4-SMD HFET 13dB 0.5dB 2V 10mA
NE3515S02-A FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 CEL S02 14dBm 12GHz 4V 88mA 4-SMD, Flat Leads HFET 12.5dB 0.3dB 2V 10mA
NE3210S01 FET RF 4V 12GHZ S01 CEL SMD 12GHz 4V 15mA 4-SMD HFET 13.5dB 0.35dB 2V 10mA
NE3508M04-T2-A FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM CEL F4TSMM, M04 18dBm 2GHz 4V 120mA SOT-343F HFET 14dB 0.45dB 2V 10mA
NE6510179A-A FET RF 8V 1.9GHZ 79A CEL 79A 32.5dBm 1.9GHz 8V 2.8A 4-SMD, Flat Leads HFET 10dB 3.5V 200mA
NE5550979A-T1-A FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG CEL 79A 38.6dBm 900MHz 30V 3A 79A LDMOS 22dB 7.5V 200mA
NE55410GR-T3-AZ FET RF 65V 2.14GHZ 16-HTSSOP CEL 16-HTSSOP 35.4dBm 2.14GHz 65V 250mA, 1A 16-DFF, Exposed Pad LDMOS 13.5dB 28V 20mA
NE3509M04-T2-A FET RF 4V 2GHZ SOT-343 CEL M04 11dBm 2GHz 4V 60mA SOT-343F HFET 17.5dB 0.4dB 2V 10mA
NE3516S02-T1C-A IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX CEL S02 165mW 12GHz 4V 60mA 4-SMD, Flat Leads N-Channel GaAs HJ-FET 14dB 0.35dB 2V 10mA
NE3515S02-T1C-A FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 CEL S02 14dBm 12GHz 4V 88mA 4-SMD, Flat Leads HFET 12.5dB 0.3dB 2V 10mA
NE650103M-A FET RF 15V 2.3GHZ 3M CEL 3M 40dBm 2.3GHz 15V 5A SOT-445 Variant MESFET 11dB 10V 1.5A
NE5550279A-A FET RF 30V 900MHZ 79A CEL 79A 33dBm 900MHz 30V 600mA 4-SMD, Flat Leads LDMOS 22.5dB 7.5V 40mA
CE3514M4-C2 RF MOSFET PHEMT FET 2V CEL 4-Super Mini Mold 125mW 12GHz 4V 68mA 4-SMD, Flat Leads pHEMT FET 12.2dB 0.62dB 2V 15mA
NE25139-T1 FET RF 13V 900MHZ SOT-143 CEL SOT-143 900MHz 13V 40mA TO-253-4, TO-253AA MESFET Dual Gate 20dB 1.1dB 5V 10mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100