• Производитель
  • Тип корпуса
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
Найдено: 69
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Коэффициент шума
Voltage - Test
Current - Test
NE3521M04-T2-A IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI CEL 20GHz 4V 70mA 4-SMD, Flat Leads N-Channel GaAs HJ-FET 11dB 0.85dB 2V 6mA
NE3510M04-A FET RF 4V 4GHZ M04 CEL M04 11dBm 4GHz 4V 97mA SOT-343F HFET 16dB 0.45dB 2V 15mA
NE552R679A-T1A-A FET RF 3V 460MHZ 79A-PKG CEL 79A 28dbm 460MHz 3V 350mA 4-SMD, Flat Leads LDMOS 20dB 3V 300mA
NE3517S03-T1C-A FET RF 4V 20GHZ S03 CEL S03 20GHz 4V 15mA 4-SMD, Flat Leads HFET 13.5dB 0.7dB 2V 10mA
NE3210S01-T1B FET RF 4V 12GHZ S01 CEL SMD 12GHz 4V 15mA 4-SMD HFET 13.5dB 0.35dB 2V 10mA
NE34018-A FET RF 4V 2GHZ SOT-343 CEL SOT-343 12dBm 2GHz 4V 120mA SC-82A, SOT-343 HFET 16dB 0.6dB 2V 5mA
NE3516S02-A IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX CEL S02 165mW 12GHz 4V 60mA 4-SMD, Flat Leads N-Channel GaAs HJ-FET 14dB 0.35dB 2V 10mA
NE3520S03-T1C-A FET RF 4V 20GHZ S03 CEL S03 20GHz 4V 70mA 4-SMD, Flat Leads HFET 13.5dB 0.65dB 2V 10mA
NE5531079A-T1-A FET RF 30V 460MHZ 79A CEL 79A 40dBm 460MHz 30V 3A 4-SMD, Flat Leads LDMOS 7.5V 200mA
NE5531079A-A FET RF 30V 460MHZ 79A CEL 79A 40dBm 460MHz 30V 3A 4-SMD, Flat Leads LDMOS 7.5V 200mA
NE3515S02-T1D-A FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 CEL S02 14dBm 12GHz 4V 88mA 4-SMD, Flat Leads HFET 12.5dB 0.3dB 2V 10mA
NE5550234-AZ FET RF 30V 900MHZ 3MINIMOLD CEL 3-PowerMiniMold 32.2dB 900MHz 30V 600mA TO-243AA N-Channel 23.5dB 7.5V 40mA
NE5511279A-T1-A FET RF 20V 900MHZ 79A-PKG CEL 79A 40dBm 900MHz 20V 3A 4-SMD, Flat Leads LDMOS 15dB 7.5V 400mA
NE3512S02-T1C-A HJ-FET NCH 13.5DB S02 CEL S02 12GHz 4V 70mA 4-SMD, Flat Leads HFET 13.5dB 0.35dB 2V 10mA
NE5550279A-T1-A FET RF 30V 900MHZ 79A CEL 79A 33dBm 900MHz 30V 600mA 4-SMD, Flat Leads LDMOS 22.5dB 7.5V 40mA