-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Частота
|
Номинальное напряжение
|
Номинальный ток
|
Package / Case
|
Тип транзистора
|
Усиление
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| B11G1822N60DYZ | B11G1822N60DYZ/PQFN-12X7/REELDP | Ampleon USA Inc. | 36-PQFN (12x7) | 1.8GHz ~ 2.2GHz | 65V | 1.4µA | 36-QFN Exposed Pad | LDMOS (Dual) | 32dB |
| B11G3338N80DYZ | B11G3338N80DYZ/PQFN-12X7/REELDP | Ampleon USA Inc. | 36-PQFN (12x7) | 3.3GHz ~ 3.8GHz | 65V | 1.4µA | 36-QFN Exposed Pad | LDMOS | 38dB |
| B11G2327N70DYZ | B11G2327N70DYZ/PQFN-12X7/REELDP | Ampleon USA Inc. | 36-PQFN (12x7) | 2.3GHz ~ 2.7GHz | 65V | 1.4µA | 36-QFN Exposed Pad | LDMOS (Dual) | 30.3dB |
- 10
- 15
- 50
- 100