• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 4
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
BLP8G27-10Z RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN Ampleon USA Inc. 16-HVSON (6x4) 2W 2.14GHz 65V 16-VDFN Exposed Pad LDMOS (Dual), Common Source 17dB 28V 110mA
BLP35M805Z RF FET LDMOS 65V 18DB 16VDFN Ampleon USA Inc. 16-HVSON (6x4) 750mW 2.14GHz 65V 16-VDFN Exposed Pad LDMOS 18dB 28V 55mA
BLP27M810Z RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN Ampleon USA Inc. 16-HVSON (6x4) 2W 2.14GHz 65V 16-VDFN Exposed Pad LDMOS (Dual), Common Source 17dB 28V 110mA
BLP8G27-5Z RF FET LDMOS 65V 18DB 16VDFN Ampleon USA Inc. 16-HVSON (6x4) 750mW 2.14GHz 65V 16-VDFN Exposed Pad LDMOS 18dB 28V 55mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100