Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Alpha & Omega Semiconductor Inc. 8-DFN-EP (5x6)

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-PowerVDFN
• Тип корпуса: 8-DFN-EP (5x6)
• Тип полевого транзистора: P-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 85A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 196nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 9120pF @ 15V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 2.3W (Ta), 83W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Серия: AlphaSGT™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-PowerVDFN
• Тип корпуса: 8-DFN-EP (5x6)
• Тип полевого транзистора: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 47A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1725pF @ 50V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 5W (Ta), 48W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
• Тип корпуса: 8-DFN-EP (5x6)
• Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Half Bridge)
• FET Feature: Logic Level Gate
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 15A, 28A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1560pF @ 15V
• Мощность - Макс.: 2W, 2.2W

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
• Тип корпуса: 8-DFN-EP (5x6)
• Тип полевого транзистора: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 45V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6575pF @ 22.5V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 125W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
• Тип корпуса: 8-DFN-EP (5x6)
• Тип полевого транзистора: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 20A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3100pF @ 15V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 50W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Серия: AlphaSGT™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
• Тип корпуса: 8-DFN-EP (5x6)
• Тип полевого транзистора: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4850pF @ 30V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 215W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-PowerVDFN
• Тип корпуса: 8-DFN-EP (5x6)
• Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
• FET Feature: Standard
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 15V
• Мощность - Макс.: 3.4W (Ta), 33W (Tc), 3.1W (Ta), 30W (Tc)

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-PowerVDFN
• Тип корпуса: 8-DFN-EP (5x6)
• Тип полевого транзистора: P-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 30A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 105nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5500pF @ 15V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-PowerVDFN
• Тип корпуса: 8-DFN-EP (5x6)
• Тип полевого транзистора: P-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 30A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 105nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5500pF @ 15V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Серия: AlphaMOS
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
• Тип корпуса: 8-DFN-EP (5x6)
• Тип полевого транзистора: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3020pF @ 15V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 46W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Серия: AlphaSGT™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-PowerVDFN
• Тип корпуса: 8-DFN-EP (5x6)
• Тип полевого транзистора: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 31.3A (Ta), 100A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 95nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5325pF @ 50V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 6.2W (Ta), 215W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-PowerVDFN
• Тип корпуса: 8-DFN-EP (5x6)
• Тип полевого транзистора: P-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 30A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 130nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5020pF @ 15V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 6.2W (Ta), 104W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Серия: SDMOS™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-PowerVDFN
• Тип корпуса: 8-DFN-EP (5x6)
• Тип полевого транзистора: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 80V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 65A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 10A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3100pF @ 40V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±25V

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
• Тип корпуса: 8-DFN-EP (5x6)
• Тип полевого транзистора: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2420pF @ 50V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 56.5W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Серия: SDMOS™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-PowerVDFN
• Тип корпуса: 8-DFN-EP (5x6)
• Тип полевого транзистора: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 26A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 50V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 2W (Ta), 35W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±25V