-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Мощность - Макс.
|
Вид монтажа
|
Package / Case
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Тип канала
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
FET Feature
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
Напряжение затвора (макс)
|
Серия
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AON6528 | MOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8DFN | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 8-DFN-EP (5x6) | Surface Mount | 8-PowerSMD, Flat Leads | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 25W (Tc) | 30V | 30A (Tc) | 6.3mOhm @ 20A, 10V | 4.5V, 10V | 2.2V @ 250µA | 22nC @ 10V | 1037pF @ 15V | ±20V | AlphaMOS | ||
AON6403L_APP | MOSFET P-CH 30V 8DFN | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 8-DFN-EP (5x6) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | P-Channel | 2.3W (Ta), 83W (Tc) | 30V | 21A (Ta), 85A (Tc) | 3.1mOhm @ 20A, 10V | 4.5V, 10V | 2.2V @ 250µA | 196nC @ 10V | 9120pF @ 15V | ±20V | |||
AONS32304 | 30V N-CHANNEL MOSFET | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 8-DFN-EP (5x6) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 6.2W (Ta), 78W (Tc) | 30V | 40A (Ta), 140A (Tc) | 2.3mOhm @ 20A, 10V | 4.5V, 10V | 2.1V @ 250µA | 130nC @ 10V | 5970pF @ 15V | ±20V |
- 10
- 15
- 50
- 100