• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 48
  • AON6812
    MOSFET 2N-CH 30V 27A 8-DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
    • Тип корпуса: 8-DFN-EP (5x6)
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 27A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1720pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 4.1W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON6514_102
    MOSFET N-CH 30V 23A 8DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: 8-DFN-EP (5x6)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 30A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 951pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 4.1W (Ta), 25W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON6918
    MOSFET 2N-CH 25V 15A/26.5A 8DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 8-DFN-EP (5x6)
    • Тип канала: 2 N-Channel (Half Bridge)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 25V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 15A, 26.5A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1560pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 2W, 2.2W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AONS36346
    MOSFET N-CH DFN 5X6
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: 8-DFN-EP (5x6)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 26.5A (Ta), 60A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 6.2W (Ta), 31W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON6284A
    MOSFET N-CHANNEL 80V 48A 8DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Серия: AlphaSGT™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
    • Тип корпуса: 8-DFN-EP (5x6)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 80V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2540pF @ 40V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 56W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AONS21321
    30V P-CHANNEL MOSFET
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: 8-DFN-EP (5x6)
    • Тип канала: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 24A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 5W (Ta), 24.5W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±25V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AONS66612
    60V N-CHANNEL ALPHASGT TM
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Серия: AlphaSGT™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: 8-DFN-EP (5x6)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 100A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5300pF @ 30V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 6.2W (Ta), 208W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON6156
    MOSFET N-CHANNEL 45V 100A 8DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
    • Тип корпуса: 8-DFN-EP (5x6)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 45V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3975pF @ 22.5V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 78W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON6312
    MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
    • Тип корпуса: 8-DFN-EP (5x6)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3100pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 50W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON6406
    MOSFET N-CH 30V 8DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: 8-DFN-EP (5x6)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 170A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5200pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 2.3W (Ta), 110W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON6922
    MOSFET 2N-CH 25V 18A/31A 8DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 8-DFN-EP (5x6)
    • Тип канала: 2 N-Channel (Half Bridge)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 25V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 18A, 31A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2340pF @ 12.5V
    • Мощность - Макс.: 2W, 2.2W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AONS32100
    25V N-CHANNEL MOSFET
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: 8-DFN-EP (5x6)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 25V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 73A (Ta), 400A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.73mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 240nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 15200pF @ 12.5V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 6.2W (Ta), 250W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON6276
    MOSFET N-CHANNEL 80V 100A 8DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Серия: AlphaSGT™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
    • Тип корпуса: 8-DFN-EP (5x6)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 80V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4940pF @ 40V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 215W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AONS36314
    30V N-CHANNEL MOSFET
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: 8-DFN-EP (5x6)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 36.5A (Ta), 85A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 6.2W (Ta), 42W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±12V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON6734
    MOSFET N-CH 5X6 DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: 8-DFN-EP (5x6)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 85A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 6.2W (Ta), 32.2W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±12V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100