• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 4
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Вид монтажа
Package / Case
Технология
Рабочая температура
Тип канала
Рассеиваемая мощность (Макс)
Напряжение сток-исток (Vdss)
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Напряжение затвора (макс)
AON1611 MOSFET P-CH 20V 4A 6DFN Alpha & Omega Semiconductor Inc. 6-DFN (1.6x1.6) Surface Mount 6-PowerUFDFN MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) P-Channel 1.8W (Ta) 20V 4A (Ta) 58mOhm @ 4A, 4.5V 1.5V, 4.5V 900mV @ 250µA 10nC @ 4.5V 550pF @ 10V ±8V
AON1610 MOSFET N-CH 20V 4A 6DFN Alpha & Omega Semiconductor Inc. 6-DFN (1.6x1.6) Surface Mount 6-PowerUFDFN MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 1.8W (Ta) 20V 4A (Ta) 29mOhm @ 4A, 4.5V 1.5V, 4.5V 1.1V @ 250µA 14nC @ 4.5V 748pF @ 10V ±8V
AON1634 MOSFET N-CH 30V 4A 6DFN Alpha & Omega Semiconductor Inc. 6-DFN (1.6x1.6) Surface Mount 6-PowerUFDFN MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 1.8W (Ta) 30V 4A (Ta) 54mOhm @ 4A, 10V 2.5V, 10V 1.5V @ 250µA 10nC @ 10V 245pF @ 15V ±12V
AON1620 MOSFET N-CH 12V 4A 6DFN Alpha & Omega Semiconductor Inc. 6-DFN (1.6x1.6) Surface Mount 6-PowerUFDFN MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 1.8W (Ta) 12V 4A (Ta) 22mOhm @ 4A, 4.5V 1.5V, 4.5V 1V @ 250µA 12nC @ 4.5V 770pF @ 6V ±8V
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100