Найдено: 4
  • MOSFET P-CH 20V 4A 6DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 6-PowerUFDFN
    • Тип корпуса: 6-DFN (1.6x1.6)
    • Тип канала: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 1.8W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
    • Напряжение затвора (макс): ±8V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET N-CH 20V 4A 6DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 6-PowerUFDFN
    • Тип корпуса: 6-DFN (1.6x1.6)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 4A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 748pF @ 10V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 1.8W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
    • Напряжение затвора (макс): ±8V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET N-CH 30V 4A 6DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 6-PowerUFDFN
    • Тип корпуса: 6-DFN (1.6x1.6)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 245pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 1.8W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±12V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET N-CH 12V 4A 6DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 6-PowerUFDFN
    • Тип корпуса: 6-DFN (1.6x1.6)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 12V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 6V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 1.8W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
    • Напряжение затвора (макс): ±8V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: