-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Вид монтажа
|
Package / Case
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Тип канала
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
Напряжение затвора (макс)
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AOV15S60 | MOSFET N-CH 600V 0.52A 5-DFN | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 4-DFN-EP (8x8) | Surface Mount | 4-PowerTSFN | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 8.3W (Ta), 208W (Tc) | 600V | 520mA (Ta), 12A (Tc) | 360mOhm @ 7.5A, 10V | 10V | 3.8V @ 250µA | 15.6nC @ 10V | 717pF @ 100V | ±30V | aMOS™ |
| AOV11S60 | MOSFET N-CH 600V 0.65A 5-DFN | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 4-DFN-EP (8x8) | Surface Mount | 4-PowerTSFN | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 8.3W (Ta), 156W (Tc) | 600V | 650mA (Ta), 8A (Tc) | 500mOhm @ 3.8A, 10V | 10V | 4.1V @ 250µA | 11nC @ 10V | 545pF @ 100V | ±30V | aMOS™ |
| AOV20S60 | MOSFET N-CH 600V 18A 5DFB | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 4-DFN-EP (8x8) | Surface Mount | 4-PowerTSFN | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 8.3W (Ta), 278W (Tc) | 600V | 3.6A (Ta), 18A (Tc) | 250mOhm @ 10A, 10V | 10V | 4.1V @ 250µA | 20nC @ 10V | 1038pF @ 100V | ±30V | aMOS™ |
- 10
- 15
- 50
- 100