• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 3
  • AOV15S60
    MOSFET N-CH 600V 0.52A 5-DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Серия: aMOS™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 4-PowerTSFN
    • Тип корпуса: 4-DFN-EP (8x8)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 520mA (Ta), 12A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 717pF @ 100V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 8.3W (Ta), 208W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AOV11S60
    MOSFET N-CH 600V 0.65A 5-DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Серия: aMOS™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 4-PowerTSFN
    • Тип корпуса: 4-DFN-EP (8x8)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 650mA (Ta), 8A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.8A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 545pF @ 100V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 8.3W (Ta), 156W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AOV20S60
    MOSFET N-CH 600V 18A 5DFB
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Серия: aMOS™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 4-PowerTSFN
    • Тип корпуса: 4-DFN-EP (8x8)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), 18A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1038pF @ 100V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 8.3W (Ta), 278W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100