-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Вид монтажа
|
Package / Case
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Тип канала
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
Напряжение затвора (макс)
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AOC2412 | MOSFET N-CH 20V 4.5A 4WLCSP | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 4-AlphaDFN (1.57x1.57) | Surface Mount | 4-SMD, No Lead | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 550mW (Ta) | 20V | 4.5A (Ta) | 23mOhm @ 1.5A, 4.5V | 1.8V, 4.5V | 1V @ 250µA | 32nC @ 4.5V | 1842pF @ 10V | ±8V |
| AOC2417 | MOSFET P-CH 20V 3.5A 4WLCSP | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 4-AlphaDFN (1.57x1.57) | Surface Mount | 4-SMD, No Lead | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | P-Channel | 550mW (Ta) | 20V | 3.5A (Ta) | 32mOhm @ 1.5A, 10V | 2.5V, 10V | 1.4V @ 250µA | 40nC @ 10V | 1355pF @ 10V | ±12V |
| AOC2414 | MOSFET N-CH 8V 4.5A MCSP1.57 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 4-AlphaDFN (1.57x1.57) | Surface Mount | 4-SMD, No Lead | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 550mW (Ta) | 8V | 4.5A (Ta) | 19mOhm @ 1.5A, 2.5V | 1.2V, 2.5V | 800mV @ 250µA | 32nC @ 4.5V | 2042pF @ 4V | ±5V |
| AOC2415 | MOSFET P-CH 20V 3.5A 4WLCSP | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 4-AlphaDFN (1.57x1.57) | Surface Mount | 4-SMD, No Lead | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | P-Channel | 550mW (Ta) | 20V | 3.5A (Ta) | 33mOhm @ 1.5A, 4.5V | 1.5V, 4.5V | 1V @ 250µA | 28nC @ 4.5V | 1685pF @ 10V | ±8V |
| AOC2401 | MOSFET P-CH 30V 3A 4WLCSP | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 4-AlphaDFN (1.57x1.57) | Surface Mount | 4-SMD, No Lead | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | P-Channel | 550mW (Ta) | 30V | 3A (Ta) | 41mOhm @ 1.5A, 10V | 2.5V, 10V | 1.3V @ 250µA | 40nC @ 10V | 1327pF @ 15V | ±12V |
| AOC2413 | MOSFET P-CH 8V 3.5A 4WLCSP | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 4-AlphaDFN (1.57x1.57) | Surface Mount | 4-SMD, No Lead | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | P-Channel | 550mW (Ta) | 8V | 3.5A (Ta) | 28mOhm @ 1.5A, 2.5V | 1.2V, 2.5V | 650mV @ 250µA | 27nC @ 4.5V | 1935pF @ 4V | ±5V |
- 10
- 15
- 50
- 100