-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-SMD, No Lead
- Тип корпуса: 4-AlphaDFN (1.57x1.57)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 1.5A, 4.5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1842pF @ 10V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 550mW (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
- Напряжение затвора (макс): ±8V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-SMD, No Lead
- Тип корпуса: 4-AlphaDFN (1.57x1.57)
- Тип канала: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 1.5A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1355pF @ 10V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 550mW (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±12V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-SMD, No Lead
- Тип корпуса: 4-AlphaDFN (1.57x1.57)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 8V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 1.5A, 2.5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2042pF @ 4V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 550mW (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
- Напряжение затвора (макс): ±5V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-SMD, No Lead
- Тип корпуса: 4-AlphaDFN (1.57x1.57)
- Тип канала: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 1.5A, 4.5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1685pF @ 10V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 550mW (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
- Напряжение затвора (макс): ±8V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-SMD, No Lead
- Тип корпуса: 4-AlphaDFN (1.57x1.57)
- Тип канала: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 1.5A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1327pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 550mW (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±12V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-SMD, No Lead
- Тип корпуса: 4-AlphaDFN (1.57x1.57)
- Тип канала: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 8V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 1.5A, 2.5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 650mV @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1935pF @ 4V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 550mW (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
- Напряжение затвора (макс): ±5V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100