Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Alpha & Omega Semiconductor Inc. 4-AlphaDFN (1.57x1.57)

Найдено: 6
  • MOSFET N-CH 20V 4.5A 4WLCSP
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 4-SMD, No Lead
    • Тип корпуса: 4-AlphaDFN (1.57x1.57)
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 1.5A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1842pF @ 10V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 550mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
    • Напряжение затвора (макс): ±8V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET P-CH 20V 3.5A 4WLCSP
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 4-SMD, No Lead
    • Тип корпуса: 4-AlphaDFN (1.57x1.57)
    • Тип полевого транзистора: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 1.5A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1355pF @ 10V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 550mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±12V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET N-CH 8V 4.5A MCSP1.57
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 4-SMD, No Lead
    • Тип корпуса: 4-AlphaDFN (1.57x1.57)
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 8V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 1.5A, 2.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2042pF @ 4V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 550mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
    • Напряжение затвора (макс): ±5V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET P-CH 20V 3.5A 4WLCSP
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 4-SMD, No Lead
    • Тип корпуса: 4-AlphaDFN (1.57x1.57)
    • Тип полевого транзистора: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 1.5A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1685pF @ 10V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 550mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
    • Напряжение затвора (макс): ±8V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET P-CH 30V 3A 4WLCSP
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 4-SMD, No Lead
    • Тип корпуса: 4-AlphaDFN (1.57x1.57)
    • Тип полевого транзистора: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 1.5A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1327pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 550mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±12V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET P-CH 8V 3.5A 4WLCSP
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 4-SMD, No Lead
    • Тип корпуса: 4-AlphaDFN (1.57x1.57)
    • Тип полевого транзистора: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 8V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 1.5A, 2.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 650mV @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1935pF @ 4V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 550mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
    • Напряжение затвора (макс): ±5V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: