Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 1.3A Pmax 700mW

    • Тип корпуса
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 1
  • DXT13003DG-13
    TRANS NPN 450V 1.3A SOT223-3
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
    • Тип корпуса: SOT-223-3
    • Мощность - Макс.: 700mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1.3A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 450V
    • Усиление по току (hFE): 16 @ 500mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
    • Граничная частота: 4MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100