Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 100mA Pmax 410mW

Найдено: 1
  • TRANS NPN 65V 0.1A 3DFN
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 3-XFDFN
    • Тип корпуса: X2-DFN1006-3
    • Мощность - Макс.: 410mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 65V
    • Усиление по току (hFE): 200 @ 2mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
    • Обратный ток коллектора: 15nA
    • Граничная частота: 300MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: