Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 200mA Pmax 370mW

    • Тип корпуса
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 1
  • MMDT3946FL3-7
    TRANS NPN/PNP 40V 200MA 6DFN
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: X2-DFN1310-6 (Type B)
    • Мощность - Макс.: 370mW
    • Тип транзистора: NPN, PNP Complementary
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 50nA
    • Граничная частота: 300MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100